半导体市场正逐渐转移到复杂且小型化的设备,在转移到更低的节点(10 nm 以下) 时,半导体设备厂商需要更高的检测灵敏度,亦需开发更复杂的结构及设计,并导入新材料。

  所谓光掩膜检测,是为了确保半导体设备的制造材料「光掩膜」有无确实制造的工程。在半导体芯片的生产中,光掩膜检查装置是微影制程前检查光掩膜缺陷的设备。随着光掩膜微距(CD) 越做越小,除了制程开发越来越复杂外,光掩膜检测也越来越难,缺陷之大小、形态及落点何处皆会被曝光印到芯片上,影响芯片的使用率,使得光掩膜缺陷检测设备能力亦须越来越精准,故要确保芯片的良率维持一定的水准,需要芯片厂与光掩膜厂密切的合作。