年々設備の複雑化・小型化が進む半導体市場。10nm以下の半導体プロセスに対応するため、設備メーカーには検査技術の高精度化、構造・設計の複雑化、新材料の導入が求められています。

  「フォトマスク検査」とは、半導体設備の製造で使用するフォトマスクの合否を調べる工程を指します。シリコンウェーハの生産においては、リソグラフィ工程の前に、フォトマスク検査装置を用いてフォトマスクの欠陥の有無を確認します。CD(Critical Dimension:線幅)の微細化が進む中、プロセス開発だけでなく、フォトマスク検査の難易度も上がり続けていますが、欠陥の大きさ・形・箇所は全てウェーハに影響を及ぼすため、ウェーハとフォトマスクの両事業者が密接に協力し、検査装置の精度を上げ、歩留まりを向上させることが不可欠なのです。